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進軍車載功率芯片,布局新一代IGBT技術(shù) 東微半導登陸科創(chuàng)板
2月10日,蘇州東微半導體股份有限公司(股票簡稱:東微半導;股票代碼:688261)將正式登陸上交所科創(chuàng)板。公開資料顯示,東微半導是一家以高性能功率器件研發(fā)與銷售為主的技術(shù)驅(qū)動型半導體企業(yè),其產(chǎn)品專注于工業(yè)及汽車相關(guān)等中大功率應用領(lǐng)域。公司憑借優(yōu)秀的半導體器件與工藝創(chuàng)新能力,集中優(yōu)勢資源聚焦新型功率器件的開發(fā),是國內(nèi)少數(shù)具備從專利到量產(chǎn)完整經(jīng)驗的高性能功率器件設(shè)計公司之一,并在應用于工業(yè)級領(lǐng)域的高壓超級結(jié)、中低壓SGT功率器件、IGBT芯片領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了國產(chǎn)化替代。東微半導依托對器件結(jié)構(gòu)和工藝的創(chuàng)新凸顯產(chǎn)品的領(lǐng)先性,在國內(nèi)眾多功率半導體廠商中獨樹一幟。
專注工業(yè)及汽車市場,人均產(chǎn)值超千萬元
近年來,碳中和、碳達峰、新能源汽車、5G和云計算等新技術(shù)應用需求迎來了爆發(fā)性增長,而功率半導體是在上述應用中實現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換的核心基礎(chǔ)元器件。公開信息顯示,東微半導的業(yè)務大多來自于工業(yè)級和汽車相關(guān)應用。業(yè)內(nèi)周知,相對于消費電子市場,工業(yè)及汽車市場對芯片的性能和品質(zhì)要求更高,存在著較高的技術(shù)壁壘。在功率器件領(lǐng)域,應用于新能源汽車的芯片基本被進口芯片品牌壟斷,僅極少數(shù)國內(nèi)芯片供應商能夠進入上述領(lǐng)域,而東微半導便是其中的佼佼者。經(jīng)過多年驗證,2021年公司產(chǎn)品開始批量進入比亞迪新能源車,成功進軍車載芯片市場。
招股書披露,東微半導預計2021年度營業(yè)收入為7.72億元至8.03億元,同比增長150%至160%;預計2021年度歸屬于母公司所有者的凈利潤為1.32億元至1.53億元,同比增長377%至453%;預計2021年度扣非后的凈利潤為1.27億元至1.47億元,同比增長522%至620%。2021年公司業(yè)績暴增的主要原因是受益新能源汽車充電樁、通信電源以及光伏逆變器的需求暴增。
招股書顯示,截至2021年6月30日東微半導的研發(fā)人員占比46%,按其員工數(shù)推算,預計人均產(chǎn)值超過1000萬元,約是國內(nèi)芯片設(shè)計行業(yè)人均產(chǎn)值的5倍,屬于典型的技術(shù)密集型芯片設(shè)計高科技公司。
打造技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢 產(chǎn)品獲得高度認可
作為國內(nèi)領(lǐng)先的高性能功率器件廠商,東微半導自成立以來,就對半導體功率器件核心技術(shù)的發(fā)展持續(xù)跟蹤并深入調(diào)研,進行持續(xù)的研發(fā)創(chuàng)新,確保公司的產(chǎn)品迭代能夠緊跟行業(yè)發(fā)展趨勢,亦滿足客戶終端產(chǎn)品的創(chuàng)新需求。這為公司業(yè)務開展及未來新業(yè)務的拓展打下了堅實的基礎(chǔ)。
高壓超級結(jié)MOSFET是東微半導的王牌產(chǎn)品,也是其功率分立器件領(lǐng)域中占比最大的產(chǎn)品,高壓超級結(jié)MOSFET器件具有高頻、易驅(qū)動、功率密度高等特點,應用領(lǐng)域非常廣泛,涵蓋通信、汽車電子、工業(yè)控制、光伏、儲能、智能電網(wǎng)、消費電子等領(lǐng)域。東微半導自成立以來積極投入對高壓超級結(jié)MOSFET產(chǎn)品的研發(fā),并得到了華為、比亞迪、特銳德、通用電氣、視源股份、英飛源、英可瑞、高斯寶、金升陽、雷能、美的、創(chuàng)維、康佳等全球知名客戶的認可,取得良好的市場口碑。
2016年4月14日,人民日報刊登了東微半導的高壓超級結(jié)MOSFET在充電樁用高壓高速核心半導體器件領(lǐng)域首次實現(xiàn)國產(chǎn)化的報道,確定了東微半導在充電樁功率器件領(lǐng)域“國產(chǎn)第一芯”的地位。
招股書顯示,東微半導最先進的高壓超級結(jié)產(chǎn)品OSG65R017HT3F的導通電阻為14mohm,與國際領(lǐng)先品牌英飛凌最小的導通電阻15mohm處于相似水平,而公司產(chǎn)品的650V耐壓要高于英飛凌的600V耐壓,綜合性能優(yōu)勢明顯。對于MOSFET而言,導通電阻是一個重要的性能參數(shù),該數(shù)值越小,MOSFET工作時的功率損耗越小,也越能體現(xiàn)公司的技術(shù)創(chuàng)新能力。
值得一提的是,東微半導于2016年提出的超級硅系列產(chǎn)品性能更為突出,OSS60R190FF型號的優(yōu)值(FOM)為2.53Ω·nC,優(yōu)于全部國際品牌在相同平臺下臨近規(guī)格的優(yōu)值,包括英飛凌最新一代產(chǎn)品IPDD60R190G7。
此外,東微半導還開發(fā)出原創(chuàng)Tri-gate IGBT,實現(xiàn)批量出貨。招股書指出,東微半導的IGBT產(chǎn)品通過優(yōu)化器件內(nèi)部的載流子分布,提高了電流密度,在不提高飽和壓降Vce,sat的情況下實現(xiàn)了較低的關(guān)閉損耗Eoff。比如,公司的低飽和壓降系列650V75A芯片OST75N65HSZF,可以在Eoff相對于OST75N65HZF基本不變的情況下(0.9mJ),將飽和壓降Vce,sat典型值降低到了1.50V,性能處于國際領(lǐng)先水平。由于采用創(chuàng)新器件結(jié)構(gòu),東微半導的IGBT的電流密度大幅提高,其芯片面積進一步縮小,突破了傳統(tǒng)IGBT的電流密度水平,直接消除了多年以來國產(chǎn)IGBT與進口IGBT芯片之間的技術(shù)代差。目前,Tri-gate IGBT(TGBT)產(chǎn)品已在光伏逆變、儲能、充電樁模塊、電機驅(qū)動等領(lǐng)域批量出貨。
招股書顯示,此次東微半導登陸科創(chuàng)板募集資金主要是投向超級結(jié)與屏蔽柵功率器件產(chǎn)品升級及產(chǎn)業(yè)化項目、新結(jié)構(gòu)功率器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目、研發(fā)工程中心建設(shè)項目、科技與發(fā)展儲備資金等。隨著募投項目的實施,公司將進一步提升超級結(jié)、IGBT芯片等功率芯片的性能,并且開拓第三代半導體功率器件市場。
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