從財報看半導體設備行業(yè)：可覆蓋國內 95% 以上刻蝕需求，光刻機完成突破，行業(yè)拐點來臨

如果問起半導體設備行業(yè)龍頭是誰，人們第一時間想到的可能是應用材料、拉姆研究、東京電子等國際巨頭。但在國產設備廠商的沖擊下，他們的地位可能已經不再牢固，特別是在成熟制程領域。

這可不是信口開河，而是依據北方華創(chuàng)、中微公司、拓荊科技等國內領先的半導體設備企業(yè)的財報得出的結論。目前在成熟制程領域，無論是在技術還是市場方面，國產替代加速跡象明顯，其中：

刻蝕設備方面，中微公司刻蝕設備可覆蓋國內 95% 以上的刻蝕需求，可以說萬事俱備，只欠產能，目前中微公司兩大新工廠已在近2年逐步投產；

薄膜設備方面，國產設備一方面在成熟制程領域加速替代國外產品，北方華創(chuàng)2023年累積出貨量暴增83%；另一方面，以北方華創(chuàng)、拓荊科技為代表的半導體設備企業(yè)正逐步向28納米以下的高端市場進發(fā)；

光刻設備方面，國產光刻機或已經完成了從90納米到55-65nm的突破。

三大核心半導體核心設備全部實現突破

雖然半導體設備很多，但核心設備其實只有三種，分別是光刻設備、刻蝕設備和薄膜設備。

據了解，光刻機、刻蝕機和薄膜沉積設備是加工過程中最重要的三大生產設備，價值占半導體晶圓廠設備總投資的約61%。其中光刻機約占總體設備銷售額的17%，刻蝕約占22%，薄膜沉積設備約占22%。

從目前北方華創(chuàng)、中微公司等頭部半導體設備廠商的財報以及其他權威資料來看，用于28納米及以上的成熟制程的半導體設備都取得了重大突破，其中光刻設備實現了0到1的突破；刻蝕設備、薄膜設備正在加速替代國外產品。

刻蝕設備：萬事俱備，只欠產能

先說刻蝕設備。該設備的國產應用情況是：萬事俱備，只欠產能。

刻蝕設備大致可分為兩種，分別是CCP 電容刻蝕機和ICP電感刻蝕機。中微公司在2023年年報中明確表示：“公司在過去的近20年著力開發(fā)了一個完整系列的 15 種等離子體刻蝕設備，公司的 CCP 電容性高能等離子體刻蝕機和ICP電感性低能等離子體刻蝕機可以覆蓋國內 95% 以上的刻蝕應用需求?！?/p>

并且，中微公司還強調，公司刻蝕機達到國際先進水平，開發(fā)的 12 英寸高端刻蝕設備持續(xù)獲得國際國內知名客戶的訂單，已經在從 65 納米到 5 納米及更先進的各個技術結點大量量產。

既然公司產品基本上能滿足國內需求、技術上又達到了國際先進水平，中微公司接下來要做的就是擴產了。

中微公司2024年半年報顯示，其位于南昌的約 14 萬平方米的生產和研發(fā)基地已建成完工，并于 2023 年 7 月正式投入使用；公司在上海臨港的約 18 萬平方米的生產和研發(fā)基地主體建設已基本完成， 并于 2024 年8 月正式投入使用。

隨著技術和產能的提升，中微公司的刻蝕設備銷量也在節(jié)節(jié)攀升。2020年至2023年，中微公司刻蝕設備銷售量分別為：244腔（2022年為所有專用設備銷量）、349腔、441腔、606腔。2024年，在上年高增長的基礎上，中微公司刻蝕設備銷售約 72.76 億元，同比增長約 54.71%。

薄膜設備：北方華創(chuàng)2023年累積出貨量暴增83% 逐步向高端進發(fā)

和刻蝕設備相比，薄膜設備在國產替代方面，要略遜一籌。目前所處的階段是，在加速替代國外產品的同時，逐步向高端進發(fā)。

和刻蝕設備不同，薄膜設備具有種類多的特點。薄膜設備主要分為CVD（化學氣相沉積設備）、PVD（物理氣相沉積設備）、ALD（原子層沉積設備）和other四類。其中CVD占一半，PVD占20-25%，ALD占10-15%，other占10-15%。其中CVD又可分為常壓CVD（APCVD）、低壓CVD（LPCVD）、等離子體增強CVD(PECVD)、高密度等離子體CVD（HDPCVD）等。

在所有薄膜設備中，PECVD 占比最高，達到 33%。ALD（原子層沉積設備）技術門檻是最高，主要應用于小于45nm以下的制程（一般在28納米制程才開始使用），并且隨著工藝的演進，ALD的占比會增加。

北方華創(chuàng)年報顯示，2022年公司薄膜設備累計出貨超 3000 腔，2023年這一數字暴增至5500 腔，增長83%。目前北方華創(chuàng)還沒有公布2024年年報，所以無法得知其薄膜設備的最新出貨情況。但北方華創(chuàng)預計2024年收入為276億元—317.8億元，同比增長25.00%—43.93%。

在加速國產替代的同時，以北方華創(chuàng)、中微公司、拓荊科技為代表的半導體設備企業(yè)，正逐步開發(fā)難度更高的ALD（原子層沉積設備）、PECVD（等離子體增強CVD）等設備。并且已經取得一定成效。

其中拓荊科技進展最快，其產品已廣泛應用于國內晶圓廠 14nm 及以上制程集成電路制造產線，并已展開 10nm 及以 下制程產品驗證測試。

北方華創(chuàng)方面，早在2023年，北方華創(chuàng)就可為28nm制程產線提供刻蝕、薄膜、清洗、爐管、外延等多種成熟設備。在2024年業(yè)績預告中，北方華創(chuàng)又表示，公司等離子體增強化學氣相沉積設備（PECVD）、原子層沉積立式爐等多款新產品進入客戶生產線并實現批量銷售。

光刻設備：實現0到1的突破 或可用于55-65nm的成熟制程芯片制造

在光刻設備、刻蝕設備和薄膜設備三大設備中，國產替代進度最慢的當屬光刻設備了。即便如此，該設備也在28納米至90納米的工藝區(qū)間，實現了0到1的突破。

2024年9月9日，工信部旗下賬號“工信微報”披露了工信部于9月2日簽發(fā)的關于引發(fā)《首臺（套）重大技術裝備推廣應用指導目錄（2024年版）》的通知文件。

文件提到了提到氟化氪（KrF）光刻機和氟化氬（ArF）光刻機（也被稱為DUV光刻機），其中氟化氬光刻機波長為193nm、分辨率≤65nm、套刻≤8nm。

這一數據與ASML旗下TWINSCAN XT：1460K最為接近。該型號照明波長為193mm，分辨率≤65nm，可以在偏振照明下實現低至57nm的生產分辨率。

所以，這次曝光的65nm分辨率的國產DUV光刻機，可能是之前的90nm分辨率的國產光刻機的改良版，能用于55-65nm的成熟制程芯片制造需求，但還達不到制造28nm制程芯片的要求。

那么，要制造28納米制程的芯片需要什么樣的光刻機呢？

據了解，業(yè)界最早量產28nm芯片的廠家基本都使用了 ASML NXT：1970（浸沒式DUV），該光刻機的分辨率≤38nm，套刻精度＜3.5nm。