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技術實力鑄核心競爭力 鍇威特IPO擬登陸科創(chuàng)板

2023/3/20 18:20:55      挖貝網(wǎng) 李輝

日前，蘇州鍇威特半導體股份有限公司（以下簡稱“鍇威特”）科創(chuàng)板IPO提交注冊。招股書顯示，鍇威特主營業(yè)務為功率半導體的設計、研發(fā)和銷售，并提供相關技術服務。公司堅持“自主創(chuàng)芯，助力核心芯片國產(chǎn)化”的發(fā)展定位，主要產(chǎn)品包含功率器件及功率IC兩大類。

根據(jù)該公司公開的招股說明書注冊稿，鍇威特通過自主創(chuàng)新和技術沉淀，已同時具備功率器件和功率IC的設計、研發(fā)能力。公司掌握了功率半導體芯片的前端設計技術，自主搭建了多個功率半導體細分產(chǎn)品的技術平臺；公司與晶圓代工廠深度合作，可根據(jù)晶圓代工廠的標準工藝調(diào)整工藝參數(shù)和流程，進一步優(yōu)化產(chǎn)品性能。截至2022年12月8日，公司已獲授權專利60項（其中發(fā)明專利18項、實用新型專利42項），集成電路布圖設計專有權36項。

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在功率器件方面，鍇威特已同時具備硅基及SiC基功率器件的設計、研發(fā)能力，積累了多項具有原創(chuàng)性和先進性的核心技術，其中3項達到國際先進水平，1項達到國內(nèi)領先水平。在平面MOSFET方面，公司核心技術具體包括“高可靠性元胞結(jié)構(gòu)”“新型復合終端結(jié)構(gòu)及實現(xiàn)工藝技術”等。其中，公司利用“高壓MOSFET的少子壽命控制及工藝實現(xiàn)技術”研發(fā)并量產(chǎn)的FRMOS產(chǎn)品具有反向恢復時間短、漏電流小、高溫特性好、反向恢復特性較軟、低電磁干擾的優(yōu)勢特性；在第三代半導體器件方面，公司利用掌握的“短溝道碳化硅MOSFET器件系列產(chǎn)品溝道控制及其制造技術”實現(xiàn)了SiCMOSFET穩(wěn)定的性能和優(yōu)良的良率控制。上述核心技術有效提升了公司產(chǎn)品性能指標，增強了產(chǎn)品市場競爭力。

在功率IC方面，鍇威特基于晶圓代工廠0.5μm600VSOIBCD工藝和0.18μm40VBCD等工藝自主搭建了設計平臺；公司與晶圓代工廠深度合作，可根據(jù)晶圓代工廠的標準工藝調(diào)整工藝參數(shù)和流程，進一步優(yōu)化產(chǎn)品性能。公司已形成80余款1功率IC產(chǎn)品，并完成了多款功率IC所需的IP設計與驗證；公司自主研發(fā)了“一種全電壓范圍多基準電壓同步調(diào)整電路及高精準過壓保護電路”“一種輸入失調(diào)電壓自動修正電路”等核心技術，有效提升了產(chǎn)品參數(shù)一致性，增強了產(chǎn)品可靠性。

同時，鍇威特是國家級高新技術企業(yè)、國家鼓勵的重點集成電路設計企業(yè)和軟件企業(yè)、國家級專精特新“小巨人”企業(yè)，并榮獲由中國電子信息發(fā)展研究院（賽迪研究院）評選的第十六屆（2021年度）和第十五屆（2020年度）“中國芯”優(yōu)秀技術創(chuàng)新產(chǎn)品獎；由中國半導體行業(yè)協(xié)會、中國電子材料行業(yè)協(xié)會等機構(gòu)聯(lián)合評選的第十四屆（2019年度）和第十二屆（2017年度）中國半導體創(chuàng)新產(chǎn)品和技術獎。公司還獲得了漢磊科技“最佳合作伙伴”“最佳業(yè)績成長”的合作商獎項，芯片設計和工藝調(diào)試能力得到業(yè)內(nèi)知名晶圓代工廠的認可。

對于未來，鍇威特方面表示，將持續(xù)對戰(zhàn)略性產(chǎn)品進行研發(fā)投入，加強對核心技術的積累；在注重基礎研究的同時，深度拓展前沿技術的應用，推動產(chǎn)品的技術高效升級與產(chǎn)業(yè)化進程；通過與高校合作，打通在職讀博人才培養(yǎng)的產(chǎn)學研渠道，打造良性循環(huán)的高端人才梯隊，并將通過持續(xù)優(yōu)化激勵制度，增強團隊的凝聚力和創(chuàng)造力，提升公司的自主創(chuàng)新能力。

此外，此次上市成功后，公司將優(yōu)化研發(fā)環(huán)境，擬通過本次募投項目在張家港升級功率半導體研發(fā)工程中心，建立和完善張家港、無錫和西安一體兩翼的研發(fā)協(xié)同機制。在對研發(fā)工程中心進行升級的過程中，增加研發(fā)的軟硬件投入，建立并完善器件試驗室、可靠性實驗室和失效分析實驗室等，增強對產(chǎn)品可靠性的檢測能力，進一步提升公司研發(fā)和成果轉(zhuǎn)化的能力水平。